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Datos del producto:
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| Material: | GaN | Tipo: | GaN-FS-10, GaN-FS-15 |
|---|---|---|---|
| Orientación: | ± 0.5° de C-AXIS (0001) | TTV: | µm ≤15 |
| Arco: | µm ≤20 | Concentración de portador: | >5x1017/cm3 |
| Grueso típico (milímetros): | N-tipo, semiaislante | Resistencia (@300K): | < 0="">106 Ω•cm |
| Superficie usable: | > el 90% |
Con un amplio intervalo de banda directo (~3.4 eV), fuertes enlaces atómicos, alta conductividad térmica y excelente resistencia a la radiación, el GaN no es solo un material optoelectrónico de longitud de onda corta, sino que también es un material de alta resistencia a la radiación.pero también un material alternativo para dispositivos de semiconductores de alta temperaturaBasado en las propiedades físicas y químicas estables, GaN es adecuado para aplicaciones de LED (luz azul, verde, UV), detectores ultravioleta y dispositivos optoelectrónicos de alta potencia y alta frecuencia.
| Especificación | ||
| El tipo | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 y sus derivados |
| Tamaño | 10.0 mm × 10,5 mm | 14.0 mm × 15,0 mm |
| El grosor |
El rango 300, el rango 350, Clasificación 400 |
un tamaño de la lámina superior a 300 ± 25 μm, 350 ± 25 μm, 400 ± 25 μm |
| Orientación | Eje C ((0001) ± 0,5° | |
| TTV | ≤ 15 μm | |
| - ¿Qué quieres decir? | ≤ 20 μm | |
| Concentración del portador | > 5x1017/cm3 | / |
| Tipo de conducción | Tipo N | Semi-aislante |
| Resistividad ((@ 300K) | < 0,5 Ω•cm | > 10 años6O•cm |
| Densidad de dislocación | Menos de 5x106en cm- ¿Qué es? | |
| Superficie utilizable | > 90% | |
| Pulido |
Superficie delantera: Ra < 0,2 nm. Superficie trasera: suelo fino |
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| Paquete | Embalado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en recipientes de una sola oblea, bajo una atmósfera de nitrógeno. | |
Persona de Contacto: JACK HAN
Teléfono: 86-18655618388
